Представлен новый тип широкоапертурного высокоэффективного и высокомощного полупроводникового лазера с вовлеченным в лазерную генерацию излучением, вытекающим из активной области. Описан принцип его работы. Впервые реализованы одномодовые полупроводниковые лазеры с близкой к квадратной формой выходной апертуры на оптической грани с размерами 5x6 мкм2, 7x7,5 мкм2 и 10x10 мкм2 и дифракционными углами расходимости излучения: в вертикальной плоскости от 6,9o до 12o и в горизонтальной --- от 3,3o до 7,8o. Для длины волны 980 нм получена мощность излучения 0,5 Вт в непрерывном одномодовом и одночастотном режимах с дифракционными углами расходимости в горизонтальной и вертикальной плоскостях, соответственно, 5,7o и 12,3o. В многомодовом режиме при ширине полоски 10 мкм и 50 мкм получены, соответственно, мощности излучения 1,3 Вт и 3,0 Вт с малыми углами расходимости.
Приведен обзор развития рынка диодных лазеров различного типа за период 1996--2004 годов и прогноз на 2005 год.
Представлен анализ актуальных и перспективных направлений разработок и использования диодных лазеров нового типа.
